تفاوت میان این سلول با انواع قبلی یکی استفاده از لایه sio2 به ضخامت 50انگسترم در سطح جهت کاهش نرخ ترکیب الکترون- حفره و دیگری انتخاب دانسیته بار الکتریکی بصورت شکل b2 میباشد. همانطوریکه در این شکل
20
پیداست تغییرات ناخالصی در سطح در حدود 3-cm10*2
19
میباشد ولی در فاصله کوتاهی از سطح یکباره 3-cm10*2 کاهش می یابد که در واقع ضخامت "لایه مرده" به حداقل می رسد. با کاهش ضخامت لایه +n مقاومت سطحی افزایش چشمگیری می یابد و در نتیجه از شبکه فلزی با مقاومت الکتریکی کم استفاده شده است.
سیر صعودی افزایش بازده ادامه یافت تا اینکه در سال1990 بالاترین آنها با 24%=n ساخته شد. تفاوتهایی که میان این سلول با انواع قبلی آن مشاهده میشود عبارت است از:
استفاده از ناهمواری از نوع هرم معکوس جهت دریافت بیشتر نور تابشی- پوشش دو لایهsio2 در دو طرف سلول- کاهش سطح تماس فلز و نیمه هادی- استفاده از میدانBSF(fieldsurfaceBack) در طرف زیرین سلول- استفاده از اتصال فلز و نیمه هادی از طریق حفره های منقطع.
در حقیقت فلز مانند یک "چاهک" عمل میکند.) بهمین سبب از لایه عایق sio2 به عنوان کنترل کننده نرخ ترکیب در هر دو سمت سلول استفاده می شود. با توجه به اینکه ضریب شکست sio2 کمتر از si می باشد نور جذب شده در داخل زیر لایه (si) محصور خواهد شد و علاوه بر اینکه Voc به دلیل کاهش نرخ ترکیب افزایش یافته Jsc نیز به خاطر جذب بیشتر نور در داخل سیلیکان زیاد می شود.
ج-)انعکاس حاملهای اقلیت( بوسیله ایجاد میدان BSF در پشت سلول. زیر لایه P-Si با افزایش ناخالصی پذیرنده تبدیل به p+ می شود و در محل اتصال P+/P میدان الکتریکی بوجود می آید. این میدان الکتریکی بعنوان منعکس کننده حاملهای اقلیت عمل کرده و بارهای الکتریکی را که در نزدیکی اتصال فلز- نیمه های تولید می شوند به طرف اتصال n+/P هدایت می کند. آلومینیوم با ضخامت 5/1 میکرون توسط تبخیر حرارتی به روی P-Si لایه گذاری می شود و سپس در درجه حرارت حدود c1000-800(بستگی به نوع زیرلایه دارد) در مجاورت گاز نادر حرارت داده می شود تا لایه P+ بوجود آید. بوسیله روش خورندگی شیمیائی آلومینیوم و مقداری از زیرلایه برداشته می شود و سپس لایه گذاری مجددی با آلومینیوم انجام می شود تا اتصال اهمی بوجود آید. آلومینیوم بعنوان منعکس کننده امواج IR که به سطح زیرین سلول می رسند نیز عمل می کند.
د-) بهینه سازی لایه امیتر( به منظور کاهش نرخ ترکیب و افزایش Voc و Jsc. یکی از مهمترین عوامل در افزایش بازده سلول مربوط به لایه امیتر می باشد، زیرا که بهینه سازی دانسیته بار الکتریکی و ضخامت این لایه و
علاقه مندی ها (Bookmarks)