با همكاري محقق ايراني تهيه شد: نخستين نقشه اتمي از ساختار فتوالکتریک نانوبلورها

[yasaman hedayati]

محققان آزمایشگاه ملی لاورنس برکلی با همکاری «امین یوردخانی» محقق ایرانی، موفق به تهيه نخستين نقشه در مقياس اتمي از ساختار فتوالکتریک در درون نانو بلورها شدند که می تواند به توسعه نسل آتی دستگاه‌های ذخیره‌سازی داده‌ها منجر شود.


به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، براي انجام اين آزمايش از قوی‌ترین میکروسکوپ انتقال الکترونی آزمایشگاه برکلی (TEAM I) استفاده شد كه می‌تواند تصاویری از ساختار نانو ذرات با قطر کمتر از یک و یک دوم انگستروم تهیه کند.

محققان موفق به نقشه برداری ساختار فروالکتریک در نانو ذرات «ژرمانیوم تلورید» به عنوان یک نیمه هادی و نانو ذرات «تیتانات باریم» به عنوان عایق شدند.




سپس نقشه های تهیه شده از الگوهای فتوالکتریک درون نانو ذرات ژرمانیوم تلورید با مطالعات هولوگرافی الکترون نانو ذرات عایق تیتانات باریوم مورد مقایسه قرار گرفتند.

«پل الیویساتوس»، مدیر آزمایشگاه برکلی تأکید می کند: برای کاهش تدریجی فناوری دستگاه ها از مقیاس میکرو به مقیاس نانو، نیاز به درک بهتر در خصوص خواص مواد مانند رفتار فروالکتریک داریم. پیشرفت های کمي در حوزه درک فیزیک پایه نانو مواد فروالکتریک صورت گرفته است و تهيه اين نقشه مي تواند مسير جديدي براي استفاده از خواص فروالکتریسیته در مقیاس نانو فراهم می کند.

فروالکتریسیته خاصیتی در مواد است که باعث به وجود آمدن دوقطبی الکتریکی می شود. این قطب بندی را می توان با استفاده از یک میدان الکتریکی خارجی ایجاد کرد؛ ویژگی‌اي که می تواند برای ذخیره سازی داده ها در مقیاس نانو مورد استفاده قرار بگیرد.


نتایج این تحقیق در مجله Nature Materials منتشر شده است.