* Robo milad *
4th July 2011, 10:13 AM
دانشمندان موسسه ibm با ارائه فناوری pcm( فناوری حافظه فاز متغیر چند بیتی پایا) در تولید تراشه های رایانه ای که می تواند سرعت نوشتن و خواندن اطلاعات را 100 برابر افزایش دهد، این فناوری را در نوع خود اولین اعلام کردند.
در این فناوری از موادی استفاده شده که قابلیت دارند از حالت متبلور به حالت غیر متبلور تبدیل شوند، دو حالتی که از مقاومت الکتریکی متفاوتی برخوردارند و به این شکل اطلاعات در قالبی دو دوئی ذخیره می شوند، یعنی از یکی از حالتها برای ذخیره 0 و از حالت دیگر برای ذخیره 1 استفاده می شود.
با به کار گرفتن این تکنیک در فناوری کنونی pcm محققان توانستند اطلاعات را 100 برابر سریعتر از سرعت انتقال اطلاعات به یک حافظه فلش، نوشته و بازیافت کنند.
محققان ibm برای آزمودن این فناوری از تراشه 200 هزار سلولی pcm استفاده کردند. ماده متغیر در میان الکترودهای موجود در تراشه رسوب کرد، سپس با وارد کردن جریان برق به این الکترودها ماده گرم شده و آغاز به نوسان در میان حالتهای متبلور و غیر متبلور کرد.
در عین حال تغییر ولتاژ جریان وارد شده به الکترودها باعث می شود میزان مواد میان الکترودها نیز قابل کنترل باشد و به این شکل محققان توانستند بیتهای چندگانه ای از اطلاعات را درون هر یک از سلولها ذخیره کنند.
یکی از مشکلاتی که در فناوری سابق pcm وجود داشت، خطای مقاومت نامیده می شد که طی آن مواد غیر متبلور در برابر تغییر حالت مقاومت نشان می دادند و در نتیجه آن خواندن اطلاعات نیز دچار خطا می شد. مشکلی که محققان آن را با استفاده از تکنیکی به نام تکنیک تلفیق پیشرفته کدها که می توانست خطای مقاومت را جبران کند، برطرف کردند.
بر اساس گزارش گیزمگ، تراشه های pcm نسبت به دیگر تراشه ها از مقاومت بالاتری برخوردارند و محققان ibm امیدوارند امکان تولید انبوه و عرضه آن تا سال 2016 فراهم آید.
در این فناوری از موادی استفاده شده که قابلیت دارند از حالت متبلور به حالت غیر متبلور تبدیل شوند، دو حالتی که از مقاومت الکتریکی متفاوتی برخوردارند و به این شکل اطلاعات در قالبی دو دوئی ذخیره می شوند، یعنی از یکی از حالتها برای ذخیره 0 و از حالت دیگر برای ذخیره 1 استفاده می شود.
با به کار گرفتن این تکنیک در فناوری کنونی pcm محققان توانستند اطلاعات را 100 برابر سریعتر از سرعت انتقال اطلاعات به یک حافظه فلش، نوشته و بازیافت کنند.
محققان ibm برای آزمودن این فناوری از تراشه 200 هزار سلولی pcm استفاده کردند. ماده متغیر در میان الکترودهای موجود در تراشه رسوب کرد، سپس با وارد کردن جریان برق به این الکترودها ماده گرم شده و آغاز به نوسان در میان حالتهای متبلور و غیر متبلور کرد.
در عین حال تغییر ولتاژ جریان وارد شده به الکترودها باعث می شود میزان مواد میان الکترودها نیز قابل کنترل باشد و به این شکل محققان توانستند بیتهای چندگانه ای از اطلاعات را درون هر یک از سلولها ذخیره کنند.
یکی از مشکلاتی که در فناوری سابق pcm وجود داشت، خطای مقاومت نامیده می شد که طی آن مواد غیر متبلور در برابر تغییر حالت مقاومت نشان می دادند و در نتیجه آن خواندن اطلاعات نیز دچار خطا می شد. مشکلی که محققان آن را با استفاده از تکنیکی به نام تکنیک تلفیق پیشرفته کدها که می توانست خطای مقاومت را جبران کند، برطرف کردند.
بر اساس گزارش گیزمگ، تراشه های pcm نسبت به دیگر تراشه ها از مقاومت بالاتری برخوردارند و محققان ibm امیدوارند امکان تولید انبوه و عرضه آن تا سال 2016 فراهم آید.