hengameh
19th October 2010, 02:20 PM
پژوهشگران نانو الکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی به کمک روشهای شبیه سازی موفق به ارائه نانو ترانزیستور جدیدی شدند که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستورهای معمولی دارد.
مهندس مینا امیرمزلقانی از محققان این پروژه گفت: از آنجا که در زمینه ترانزیستورهای نانو متری دانش سایر کشورها به حد مطلوبی نرسیده است و بنیان علمی در این زمینه در کشور ما و سایر کشورها یکسان است، بنابراین فرصت بسیار مناسبی برای رقابت و پیشرفت در این زمینه وجود دارد.
وی با اشاره به نحوه اجرای این پژوهش، ادامه داد: در این کار پژوهشی ترانزیستور جدیدی در ابعاد نانو متری (طول کانال 75 نانومتر) ارائه شد که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستور معمولی "ماسفت" (ترانزیستور اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه هادی، mosfet) دارد.
امیرمزلقانی به کاربردهای این نانو ترانزیستور اشاره و خاطر نشان کرد: از این نانو ترانزیستور می توان در ساخت قطعات دیجیتالی بهره گرفت.
این محقق یادآور شد: برای انجام این کار ابتدا ترانزیستور fed را به کمک نرم افزار pisces2b شبیه سازی و سپس در نرم افزار spice مدل سازی شد. در ادامه نیز مراحل مشابهی برای یک ترانزیستور "ماسفت" را در همان ابعاد انجام و نتایج با یکدیگر مقایسه کردیم.
امیرمزلقانی با تاکید بر اینکه این کار پژوهشی در ایران در حد یک پروژه تحقیقاتی است اضافه کرد: ولی از سوی شرکتهای خارجی مورد استقبال قرار گرفته است که از آن جمله می توان به یک شرکت آلمانی اشاره کرد که برای استفاده از این ترانزیستور در الکترونیک صنعتی اعلام آمادگی کرده است.
مهندس مینا امیرمزلقانی از محققان این پروژه گفت: از آنجا که در زمینه ترانزیستورهای نانو متری دانش سایر کشورها به حد مطلوبی نرسیده است و بنیان علمی در این زمینه در کشور ما و سایر کشورها یکسان است، بنابراین فرصت بسیار مناسبی برای رقابت و پیشرفت در این زمینه وجود دارد.
وی با اشاره به نحوه اجرای این پژوهش، ادامه داد: در این کار پژوهشی ترانزیستور جدیدی در ابعاد نانو متری (طول کانال 75 نانومتر) ارائه شد که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستور معمولی "ماسفت" (ترانزیستور اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه هادی، mosfet) دارد.
امیرمزلقانی به کاربردهای این نانو ترانزیستور اشاره و خاطر نشان کرد: از این نانو ترانزیستور می توان در ساخت قطعات دیجیتالی بهره گرفت.
این محقق یادآور شد: برای انجام این کار ابتدا ترانزیستور fed را به کمک نرم افزار pisces2b شبیه سازی و سپس در نرم افزار spice مدل سازی شد. در ادامه نیز مراحل مشابهی برای یک ترانزیستور "ماسفت" را در همان ابعاد انجام و نتایج با یکدیگر مقایسه کردیم.
امیرمزلقانی با تاکید بر اینکه این کار پژوهشی در ایران در حد یک پروژه تحقیقاتی است اضافه کرد: ولی از سوی شرکتهای خارجی مورد استقبال قرار گرفته است که از آن جمله می توان به یک شرکت آلمانی اشاره کرد که برای استفاده از این ترانزیستور در الکترونیک صنعتی اعلام آمادگی کرده است.