diamonds55
11th November 2008, 12:22 PM
خبرگزاري دانشجويان ايران - تهران
سرويس: فناوري استراتژيك
با استفاده از يک روش جديد چاپ ليزري امکان ايجاد الگوهاي دلخواه از نانوذرات در يک محدوده وسيع تنها با استفاده از يک پالس ليزري ايجاد شده است.
به گزارش سرويس فن‌آوري ايسنا، از اين روش جديد که بر مشکلات چاپ ليزري معمولي فائق آمده است، مي‌توان در توليد آسان ابزارهاي الکترونيکي همانند ترانزيستورها استفاده کرد.
پرکاربردترين روش چاپ ليزري (LIFT) بر انتقال نقطه به نقطه ماده مبتني است. اين امر توليد الگوهايي با اشکال هندسي و اندازه متفاوت را دشوار مي‌سازد.
اين روش جديد چاپ ليزري موازي که توسط ميونگو لي و همکارانش از دانشگاه يونسي در سئول کره جنوبي ابداع شده است، مبتني بر واجذب حرايت نانوذرات است که توسط ليزر پالسي القا مي‌شود.
لي مي‌گويد از آنجايي که چگالي انرژي مورد نياز براي انتقال ماده در اين فرايند بسيار پايين‌تر از مقدار مورد نياز براي فرايند LIFT مي‌باشد، امکان چاپ الگوهاي دلخواه در يک سطح وسيع تنها با استفاده از يک پالس ليزر وجود دارد.
اين محققان کار خود را با رسوب‌دهي از محلول يک فيلم نقره نانوذره‌اي با ضخامت 150 نانومتر تا 1 ميکرومتر روي يک بستر شيشه‌اي آغاز کردند. آنها اين کار را با استفاده از يک جوهر نقره تجاري با متوسط اندازه ذرات 25 نانومتر انجام دادند. اين فيلم سپس در دماي اتاق خشک شد.
سپس يک اشعه ليزري پالسي NY:YAG (با طول موج 064/1 ميکرومتر، پهناي پالس 6 نانوثانيه، سرعت تکرار 10 هرتز و بيشينه توان ميانگين 5/8 وات) با استفاده از يک ماسک نوري در حالت تماسي تنظيم شد.
اين پالس ليزري از پشت بستر شيشه‌اي به اين فيلم تابانده شد. با تاباندن اين ليزر به فيلم نانوذره‌اي، نانوذرات نقره از روي سطح جدا شده و به روي يک بستر دريافت کننده سيليکوني که در تماس با فيلم قرار داشت، منتقل شدند. بدين ترتيب يک الگوي چاپ شده روي اين بستر ثانويه ايجاد شد.
لي مي‌گويد: «اگر ماسک مناسبي استفاده شود، هر نوع الگويي را مي‌توان با استفاده از اين روش ايجاد کرد».
اين گروه پژوهشي براي ساخت ترانزيستور، الکترودهاي منبع و خروجي را روي يک ويفر سيليکوني ناخالص چاپ ليزري نمودند. اين ويفر سيليکوني داراي يک لايه دي‌الکتريک SiO2 به ضخامت 200 نانومتر بود. پس از پخت الکترودهاي چاپ شده در دماي 225 درجه سانتي‌گراد، يک لايه نيمه‌رسانا از جنس پنتاسن با استفاده از تبخير حرارتي بين دو الکترود رسوب داده شد.
به گزارش ستاد ويژه توسعه فناوري نانو، اين محققان مي‌گويند مايلند به جاي استفاده از تبخير حرارتي براي ايجاد لايه فعال پنتاسن، از فرايندهايي براي ساخت ترانزيستور استفاده کنند که به طور کامل در فاز محلول انجام مي‌گيرند.
بنا به گفته آنها از اين فرايند نه تنها براي چاپ نانوذرات فلزي، بلکه براي ايجاد فيلم‌هاي نيمه‌رسانا و دي‌الکتريک نانوذره‌اي نيز مي‌توان استفاده کرد.
نتايج اين تحقيق در Appl. Phys. Lett. منتشر شده است.
انتهاي پيام
كد خبر: 8708-11872
سرويس: فناوري استراتژيك
با استفاده از يک روش جديد چاپ ليزري امکان ايجاد الگوهاي دلخواه از نانوذرات در يک محدوده وسيع تنها با استفاده از يک پالس ليزري ايجاد شده است.
به گزارش سرويس فن‌آوري ايسنا، از اين روش جديد که بر مشکلات چاپ ليزري معمولي فائق آمده است، مي‌توان در توليد آسان ابزارهاي الکترونيکي همانند ترانزيستورها استفاده کرد.
پرکاربردترين روش چاپ ليزري (LIFT) بر انتقال نقطه به نقطه ماده مبتني است. اين امر توليد الگوهايي با اشکال هندسي و اندازه متفاوت را دشوار مي‌سازد.
اين روش جديد چاپ ليزري موازي که توسط ميونگو لي و همکارانش از دانشگاه يونسي در سئول کره جنوبي ابداع شده است، مبتني بر واجذب حرايت نانوذرات است که توسط ليزر پالسي القا مي‌شود.
لي مي‌گويد از آنجايي که چگالي انرژي مورد نياز براي انتقال ماده در اين فرايند بسيار پايين‌تر از مقدار مورد نياز براي فرايند LIFT مي‌باشد، امکان چاپ الگوهاي دلخواه در يک سطح وسيع تنها با استفاده از يک پالس ليزر وجود دارد.
اين محققان کار خود را با رسوب‌دهي از محلول يک فيلم نقره نانوذره‌اي با ضخامت 150 نانومتر تا 1 ميکرومتر روي يک بستر شيشه‌اي آغاز کردند. آنها اين کار را با استفاده از يک جوهر نقره تجاري با متوسط اندازه ذرات 25 نانومتر انجام دادند. اين فيلم سپس در دماي اتاق خشک شد.
سپس يک اشعه ليزري پالسي NY:YAG (با طول موج 064/1 ميکرومتر، پهناي پالس 6 نانوثانيه، سرعت تکرار 10 هرتز و بيشينه توان ميانگين 5/8 وات) با استفاده از يک ماسک نوري در حالت تماسي تنظيم شد.
اين پالس ليزري از پشت بستر شيشه‌اي به اين فيلم تابانده شد. با تاباندن اين ليزر به فيلم نانوذره‌اي، نانوذرات نقره از روي سطح جدا شده و به روي يک بستر دريافت کننده سيليکوني که در تماس با فيلم قرار داشت، منتقل شدند. بدين ترتيب يک الگوي چاپ شده روي اين بستر ثانويه ايجاد شد.
لي مي‌گويد: «اگر ماسک مناسبي استفاده شود، هر نوع الگويي را مي‌توان با استفاده از اين روش ايجاد کرد».
اين گروه پژوهشي براي ساخت ترانزيستور، الکترودهاي منبع و خروجي را روي يک ويفر سيليکوني ناخالص چاپ ليزري نمودند. اين ويفر سيليکوني داراي يک لايه دي‌الکتريک SiO2 به ضخامت 200 نانومتر بود. پس از پخت الکترودهاي چاپ شده در دماي 225 درجه سانتي‌گراد، يک لايه نيمه‌رسانا از جنس پنتاسن با استفاده از تبخير حرارتي بين دو الکترود رسوب داده شد.
به گزارش ستاد ويژه توسعه فناوري نانو، اين محققان مي‌گويند مايلند به جاي استفاده از تبخير حرارتي براي ايجاد لايه فعال پنتاسن، از فرايندهايي براي ساخت ترانزيستور استفاده کنند که به طور کامل در فاز محلول انجام مي‌گيرند.
بنا به گفته آنها از اين فرايند نه تنها براي چاپ نانوذرات فلزي، بلکه براي ايجاد فيلم‌هاي نيمه‌رسانا و دي‌الکتريک نانوذره‌اي نيز مي‌توان استفاده کرد.
نتايج اين تحقيق در Appl. Phys. Lett. منتشر شده است.
انتهاي پيام
كد خبر: 8708-11872