ورود

توجه ! این یک نسخه آرشیو شده میباشد و در این حالت شما عکسی را مشاهده نمیکنید برای مشاهده کامل متن و عکسها بر روی لینک مقابل کلیک کنید : پيل‌هاي خورشيدي مؤثرتر با نانولوله‌هاي كربني



*مینا*
31st October 2009, 08:33 PM
طبق گفته دانشمندان در آمريكا، نانولوله‌هاي كربني مي‌توانند براي توليد پيل‌هاي خورشيدي استفاده شوند كه در مقايسه با فناوري‌هاي فوتوولتائيك موجود، جريان الكتريكي به فوتون‌ بيشتري توليد مي‌كنند. اين محققان نشان داده‌اند كه ديودهاي نوري ساخته‌‌شده از نانولوله‌هاي كربني در پاسخ به يك فوتون منفرد جفت‌هاي الكترون- حفره چندگانه‌اي توليد مي‌كنند. اين برخلاف ديگر ديودهاي نوري است كه فقط يك جفت بر فوتون توليد مي‌كنند.

http://www.nano.ir/images/news/6507.jpg شمايي از فوتوولتائيك ساخته‌شده از نانولوله كربني تك جداره.

در يك پيل فوتوولتائيكي، موقعي كه انرژي از يك فوتون به يك الكترون انتقال مي‌يابد؛ جريان الكتريكي توليد مي‌شود. در اين حالت تحريك الكترون در باند هدايت، منجر به ايجاد يك حفره با بار مثبت مي‌شود. فوتوولتائيك‌هاي امروزي مبتني بر موادي هستند كه در آنها هر فوتون فقط يك الكترون را تحريك مي‌كند و يك جفت الكترون- حفره ايجاد مي‌كند.

اكنون محققان دانشگاه كرنل با ساخت فوتوولتائيك‌ها از نانولوله‌هاي كربني راهي براي افزايش تعداد اين جفت‌ها پيدا كرده‌اند. اين افزاره‌ها از نانولوله‌هاي تك‌جداره‌ي منفرد با طول 3 تا 4 ميكرومتر و قطر 1/5 تا 3/6 نانومتر ساخته‌شدند. يك نانولوله روي يك بستر كه شامل سه الكترود است، قرار داده مي‌شود. موقعي كه ولتاژ‌هاي معيني به اين الكترودها اعمال مي‌شود، اين نانولوله شبيه يك ديود نوري اتصال p-n عمل مي‌كند.

اين محققان اعتقاد دارند كه توليد جفت‌هاي چند‌گانه هنگامي اتفاق مي‌افتد كه فوتون‌ها انرژي يك الكترون را بيش از حد لازم افزايش دهند. در اين حالت الكترون‌ها در باند زيرين ثانويه‌ي نانولوله مي‌توانند در سرتاسر ديود حركت كرده و ديگر الكترون‌هاي خود را تحريك كنند آنها مي‌گويند كه هنگامي كه اين حامل‌هاي باند زيرين ثانويه براي تحريك الكترون‌هاي اضافي انرژي كافي بدست آورند، جريان الكتريكي توليد شده افزايش مي‌يابد.

اين محققان نتايج خود را در مجله‌ي Science منتشر كرده‌اند.


منبع : ستاد ویژه ی توصعه ی نانو و فناوری

استفاده از تمامی مطالب سایت تنها با ذکر منبع آن به نام سایت علمی نخبگان جوان و ذکر آدرس سایت مجاز است

استفاده از نام و برند نخبگان جوان به هر نحو توسط سایر سایت ها ممنوع بوده و پیگرد قانونی دارد