Victor007
30th October 2009, 10:04 AM
خبرگزاري فارس: محققان بر اساس بررسي‌هاي خود در حوزه حافظه‌هاي مجازي، دو گام به ساخت نسل جديد فناوري براي نسل آتي رايانه‌ها و اتصال آن‌ها به يكديگر نزديك شدند.
http://media.farsnews.com/Media/8711/Images/jpg/A0620/A0620275.jpg
به گزارش فارس به نقل از سي‌نت، محققان اينتل و شركت تراشه‌سازي Numonyx كه زير نظر شركت مادر STMicroelectonics كار مي‌كند، اين روزها تمركز اصلي خود را بر حافظه‌هاي فلش قرار داده‌اند و به دنبال آن، موفق به ساخت تراشه حافظه‌اي جديدي با قابليت تغيير وضعيت خودكار شده‌اند و اميدوارند كه اين تراشه باعث ساخت حافظه‌هاي مجازي كوچك با ظرفيت بالا شود.
به گفته اين دانشمندان، در نسل جديد فناوري‌هاي حافظه‌اي سيستم 64 بيتي ديگر اهميت چنداني نخواهد داشت؛ زيرا پيش از اين شركت Numonyx در سال 2006 فناوري 128 بيتي خود را معرفي كرده بود و شركت سامسونگ نيز سپتامبر سال جاري به معرفي سيستم 512 بيتي خود پرداخت.
در تراشه حافظه‌اي جديد كارشناسان از سيستم‌پيچ ويژه‌اي استفاده كرده‌اند كه به رايانه امكان مي‌دهد كنترل و مديريت جريان ذخيره بيت‌هاي 0 و 1 را روي هر يك از 64 ميليون سلول حافظه‌اي در دست بگيرد.
در مرحله ديگر، اين كارشناسان موفق به ساخت لايه‌هاي حافظه‌اي جديد شده‌اند كه مي‌تواند ظرفيت حافظه براي ذخيره اطلاعات را تا اندازه زياد افزايش دهد.
http://media.farsnews.com/Media/8711/Images/jpg/A0620/A0620275.jpg
به گزارش فارس به نقل از سي‌نت، محققان اينتل و شركت تراشه‌سازي Numonyx كه زير نظر شركت مادر STMicroelectonics كار مي‌كند، اين روزها تمركز اصلي خود را بر حافظه‌هاي فلش قرار داده‌اند و به دنبال آن، موفق به ساخت تراشه حافظه‌اي جديدي با قابليت تغيير وضعيت خودكار شده‌اند و اميدوارند كه اين تراشه باعث ساخت حافظه‌هاي مجازي كوچك با ظرفيت بالا شود.
به گفته اين دانشمندان، در نسل جديد فناوري‌هاي حافظه‌اي سيستم 64 بيتي ديگر اهميت چنداني نخواهد داشت؛ زيرا پيش از اين شركت Numonyx در سال 2006 فناوري 128 بيتي خود را معرفي كرده بود و شركت سامسونگ نيز سپتامبر سال جاري به معرفي سيستم 512 بيتي خود پرداخت.
در تراشه حافظه‌اي جديد كارشناسان از سيستم‌پيچ ويژه‌اي استفاده كرده‌اند كه به رايانه امكان مي‌دهد كنترل و مديريت جريان ذخيره بيت‌هاي 0 و 1 را روي هر يك از 64 ميليون سلول حافظه‌اي در دست بگيرد.
در مرحله ديگر، اين كارشناسان موفق به ساخت لايه‌هاي حافظه‌اي جديد شده‌اند كه مي‌تواند ظرفيت حافظه براي ذخيره اطلاعات را تا اندازه زياد افزايش دهد.