moji5
22nd October 2009, 08:26 AM
خبرگزاري فارس: جمعي از پژوهشگران ايراني، با بررسي نوعي خاصي از نانوترانزيستورها، امكان ساخت مدارهاي الكترونيكي مجتمع كوچك‌تري را فراهم كردند.
http://media.farsnews.com/Media/8712/Images/jpg/A0625/A0625743.jpg
به گزارش خبرگزاري فارس، ابعاد نانوترانزيستورهاي سيليكوني در سال‌هاي اخير به حد نهايي خود نزديك مي‌شود و براي ادامه روند كوچك كردن ترانزيستورها بايد جايگزين مناسبي براي آنها پيدا نمود. نانولوله‌هاي كربني براي استفاده به عنوان كانال ترانزيستور، مناسب‌ترين جايگزين معرفي شده تا به امروز هستند.
اولين ترانزيستور نانولوله كربني در سال 1998 ساخته شد و زمان زيادي از مطرح شدن اين موضوع در محافل علمي نمي‌گذرد به طوري كه هنوز هم بسياري از مسايل ساخت و تئوري آنها حل نشده است. با اين حال دانشمندان اميدوارند اين ترانزيستورها در نسل‌هاي آينده مدارهاي مجتمع مورد استفاده قرار گيرند.
زهير كردرستمي، دانشجوي دكتري الكترونيك دانشگاه شيراز گفت: با كوچكتر شدن ابعاد ترانزيستورها، مباني فيزيك الكترونيك رايج، براي درك صحيح رفتار قطعه الكترونيكي، پاسخگو نيستند، لذا آشنايي با مباني جديد فيزيك الكترونيك و مكانيك كوانتومي براي شناخت قطعات نانوالكترونيك بسيار ضروري به نظر مي‌رسد.
وي در ادامه افزود: پژوهشي با هدف آشنايي با روش‌هاي جديد ايجاد شده در دنياي الكترونيك براي درك عملكرد قطعات نانومتري و ارايه نتايج جديد براي رفتار يك ترانزيستور نانولوله كربني تحت كشش در پژوهشكده فناوري نانو دانشگاه شيراز انجام شده است.
كردرستمي براي بررسي اين نانوترانزيستورها، توزيع انرژي پتانسيل الكترون‌ها و حفره‌ها در طول كانال را به صورت تحليلي به دست آورده و با استفاده از آن در مورد اثر ابعاد قطعه در دياگرام انرژي نتايج قابل توجهي ارائه داده است.
وي اثر سه نوع كشش مكانيكي روي گاف انرژي نانولوله كربني را محاسبه كرده و ميزان تغييرات ضريب عبور كانال و جريان ترانزيستور ناشي از آنها را به دست آورده است. به اين ترتيب براي اولين بار با اين روش مي‌توان اثرات ناشي از كشيدگي احتمالي نانولوله كربني در حين فرآيند ساخت در مشخصات خروجي ترانزيستورها را بررسي كرد. كردرستمي براي محاسبه مشخصات اين نوع نانوترانزيستورها با استفاده از برنامه MATLAB نرم افزاري تهيه كرده است.
انجام اين پژوهش مي‌تواند شركت‌هاي سازنده مدارهاي مجتمع را كه تمايل به كوچكتر شدن ابعاد ترانزيستورها دارند به ساخت اين ادوات نانومتري اميدوارتر كند.
http://media.farsnews.com/Media/8712/Images/jpg/A0625/A0625743.jpg
به گزارش خبرگزاري فارس، ابعاد نانوترانزيستورهاي سيليكوني در سال‌هاي اخير به حد نهايي خود نزديك مي‌شود و براي ادامه روند كوچك كردن ترانزيستورها بايد جايگزين مناسبي براي آنها پيدا نمود. نانولوله‌هاي كربني براي استفاده به عنوان كانال ترانزيستور، مناسب‌ترين جايگزين معرفي شده تا به امروز هستند.
اولين ترانزيستور نانولوله كربني در سال 1998 ساخته شد و زمان زيادي از مطرح شدن اين موضوع در محافل علمي نمي‌گذرد به طوري كه هنوز هم بسياري از مسايل ساخت و تئوري آنها حل نشده است. با اين حال دانشمندان اميدوارند اين ترانزيستورها در نسل‌هاي آينده مدارهاي مجتمع مورد استفاده قرار گيرند.
زهير كردرستمي، دانشجوي دكتري الكترونيك دانشگاه شيراز گفت: با كوچكتر شدن ابعاد ترانزيستورها، مباني فيزيك الكترونيك رايج، براي درك صحيح رفتار قطعه الكترونيكي، پاسخگو نيستند، لذا آشنايي با مباني جديد فيزيك الكترونيك و مكانيك كوانتومي براي شناخت قطعات نانوالكترونيك بسيار ضروري به نظر مي‌رسد.
وي در ادامه افزود: پژوهشي با هدف آشنايي با روش‌هاي جديد ايجاد شده در دنياي الكترونيك براي درك عملكرد قطعات نانومتري و ارايه نتايج جديد براي رفتار يك ترانزيستور نانولوله كربني تحت كشش در پژوهشكده فناوري نانو دانشگاه شيراز انجام شده است.
كردرستمي براي بررسي اين نانوترانزيستورها، توزيع انرژي پتانسيل الكترون‌ها و حفره‌ها در طول كانال را به صورت تحليلي به دست آورده و با استفاده از آن در مورد اثر ابعاد قطعه در دياگرام انرژي نتايج قابل توجهي ارائه داده است.
وي اثر سه نوع كشش مكانيكي روي گاف انرژي نانولوله كربني را محاسبه كرده و ميزان تغييرات ضريب عبور كانال و جريان ترانزيستور ناشي از آنها را به دست آورده است. به اين ترتيب براي اولين بار با اين روش مي‌توان اثرات ناشي از كشيدگي احتمالي نانولوله كربني در حين فرآيند ساخت در مشخصات خروجي ترانزيستورها را بررسي كرد. كردرستمي براي محاسبه مشخصات اين نوع نانوترانزيستورها با استفاده از برنامه MATLAB نرم افزاري تهيه كرده است.
انجام اين پژوهش مي‌تواند شركت‌هاي سازنده مدارهاي مجتمع را كه تمايل به كوچكتر شدن ابعاد ترانزيستورها دارند به ساخت اين ادوات نانومتري اميدوارتر كند.