ورود

توجه ! این یک نسخه آرشیو شده میباشد و در این حالت شما عکسی را مشاهده نمیکنید برای مشاهده کامل متن و عکسها بر روی لینک مقابل کلیک کنید : سامسونگ و آغاز تولید انبوه dramهای موبایلی ۴ گیگابیتی ۲۰ نانومتری



3rdoor
20th May 2012, 04:44 PM
http://sammyhub.com/wp-content/uploads/2012/05/20nm-lpddr2.jpg
سامسونگ اعلام کرد که کار تولید انبوه DRAMهای موبایلی ۴ گیگابیتی LPDDR2 با معماری ۲۰ نانومتری را آغاز کرده است. این رم‌ها می‌توانند زمان پردازش را در اسمارت‌فون‌ها و تبلت‌های رده بالا، که در آن‌ها نیاز به افزایش بازدهی و عمر باتری بسیار احساس می‌شود، کاهش دهند. سامسونگ می‌گوید به لطف روش جدید تولید، این تراشه‌ها از اندازه کوچکتری برخوردار هستند، در حالی که توان پردازشی آن‌ها مشابه یک تراشه ۳۰ نانومتری خواهد بود. ضخامت کم این تراشه‌ها، امکان طراحی و ساخت دستگاه‌های موبایل ظریف‌تر را مهیا می‌کند.

در مقایسه با پکیج چهار عددی تراشه‌های ۳۰ نانومتری ۴ گیگابیتی (یعنی ۲ گیگابایت حافظه)، تراشه‌های ۴ گیگابیتی ۲۰ نانومتری می‌توانند با وجود مصرف انرژی یکسان، سرعتی تا ۱۰۶۶ مگابیت بر ثانیه را از خود ارائه دهند، در حالی که ضخامت کمتری (تا ۲۰ درصد) نسبت به آن‌ها دارند.

منبع : bestsmartgadgets (http://bestsmartgadgets.wordpress.com/2012/05/20/%d8%b3%d8%a7%d9%85%d8%b3%d9%88%d9%86%da%af-%d9%88-%d8%a2%d8%ba%d8%a7%d8%b2-%d8%aa%d9%88%d9%84%db%8c%d8%af-%d8%a7%d9%86%d8%a8%d9%88%d9%87-dram%d9%87%d8%a7%db%8c-%d9%85%d9%88%d8%a8%d8%a7%db%8c%d9%84/)

استفاده از تمامی مطالب سایت تنها با ذکر منبع آن به نام سایت علمی نخبگان جوان و ذکر آدرس سایت مجاز است

استفاده از نام و برند نخبگان جوان به هر نحو توسط سایر سایت ها ممنوع بوده و پیگرد قانونی دارد